Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Учет паразитных параметров кристаллического диода при расчете параметрического преобразователя с разностной выходной частотой

Гао Бао-Синь

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1962. № 3. С. 41

  • Статья
Аннотация

Получены соотношения для расчета коэффициентов усиления и шумов параметрического преобразователя с разностной выходной частотой при учете паразитных реактивных параметров диода наряду с активными. Показано, что при резонансе паразитных параметров диода на суммарной частоте коэффициент преобразователя падает и собственные шумы возрастают. Дан пример расчета.

Авторы
Гао Бао-Синь
Кафедра теории колебаний
Выпуск 3, 1962

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.