Аннотация
Описываются схема и метод измерения времени жизни не основных носителей заряда в широкой базе четырехслойного полупроводникового триода. Дается теоретическое обоснование метода измерения. Выводится расчетная формула, связывающая измеряемое время рассасывания избыточного заряда с временем жизни. Приведены результаты эксперимента.
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
А.И. Гомонова, А.С. Логгинов, К.Я. Сенаторов
Кафедра теории колебаний
Кафедра теории колебаний
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.