К теории оптического поглощения в кристаллах, помещенных во внешние поля

Рассматривается вопрос о поглощении света в полупроводниках, помещенных во внешние параллельные электрические и магнитные поля, в области края основной полосы поглощения (прямые переходы). Получены общие выражения для коэффициента поглощения для разрешенных и запрещенных переходов, из которых можно получить известные формулы для коэффициента поглощения в отсутствие внешних полей, а также электрооптический и магнетоабсорбционный эффекты. Показано, что в слабом электрическом поле (при сохранении квантующего магнитного поля) коэффициент поглощения можно представить в виде трех членов, из которых один точно совпадает с коэффициентом поглощения света в отсутствие внешних полей, а остальные два имеют осциллирующий характер в зависимости от энергии фотона при постоянном электрическом и магнитном поле.