Рассмотрено влияние сильного электромагнитного поля на временную дисперсию полупроводника. Под действием внешнего поля в последнем возникает для некоторой области частот (ω <(∆+∆E)/h)состояние с отрицательной температурой. Однако в отличие от поглощения, где внешние поля усиливаются, если их частоты попадают в область отрицательной температуры, а для частот (ω >(∆+∆E)/h) имеет место обычное поглощение, вклад этих двух областей в дисперсию не столь однозначен. Неизменно одно — максимум дисперсии все время следует за краем полосы поглощения. Показано, что частотная зависимость и зависимость от внешнего поля дисперсии для двухфотонных процессов аналогична таковой же для однофотонных процессов
Кафедра общей физики для мехмата
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.