Аннотация
В случае, когда рассеяние происходит на фононах, получены выражения для добавки к коэффициенту оптического поглощения свободными носителями заряда в полупроводниках. Эта добавка получается за счет взаимодействия фононов с точечными дефектами решетки изотопического типа. В § 4 приводится расчет функции чисел заполнения для фононов.
English citation: Theory of optical absorption by free charge carriers in semiconductors
V.D. Karaivanov
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
В.Д. Караиванов
кафедра физики полупроводников
кафедра физики полупроводников
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.