Аннотация
В рамках обобщенной модели Луковского вычислены коэффициенты многофононного захвата носителей заряда глубокими нейтральными и одноименно заряженными ловушками в условиях нагрева электронного газа постоянным и однородным электрическим полем. Рассмотрены случаи, когда справедливо приближение электронной температуры и когда функция распределения носителей заряда по энергиям дается формулой Б.И. Давыдова, обобщенной на предмет учета примесного рассеяния. В этих условиях получены явные выражения для температурной и полевой зависимости коэффициентов захвата.
English citation: Theor y of carrier capture bу deep traps in а homopolar semiconductor: hot - electron capture
V.L. Bonch-Bruevich
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
В.Л. Бонч - Бруевич
Кафедра полупроводников
Кафедра полупроводников