Коэффициент поглощения области hω>Eg при наличии резонансного рассеяния

Для легированного полупроводника с зонной структурой специального типа учитывается влияние резонансных состояний на поведение коэффициента поглощения α(ω). Показывается, что для оптических энергий выше края поглощения hω>Eg в спектре поглощения возникают характерные пороги и пики, величина и положение которых зависят от концентрации примеси n, от положения Eϒ и ширины Гϒ резонансных уровней и от эффективных масс mv и mс для валентной зоны и зоны проводимости.