Аннотация
Учтено влияние прилипания на мелкие уровни, на форму фронтов и скорость доменов, стационарно движущихся в полупроводнике с рекомбинационной нелинейностью, обусловленной возрастанием коэффициента захвата на отталкивающие центры при разогреве системы носителей. Рассмотренный эффект может устранить расхождение между теорией и опытом относительно величины скорости домена.
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
И.П. 3вягин, А.Г. Миронов
Кафедра полупроводннков
Кафедра полупроводннков
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.