Аннотация
Атомарно-чистые поверхности Ge и Si исследуются методы ЭПР и адсорбционным методом. Выяснены условия образования свободных радикалов на этих поверхностях. На основе анализа экспериментальных данных высказывается гипотеза о возможной природе поверхностных состояний на атомарно-чистых поверхностях Ge и Si.
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
Г.Б. Демидович, В.Ф. Киселев
Кафедра общей физики для химиков
Кафедра общей физики для химиков
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.