Аннотация
Вычисляется коэффициент поглощения света α(ω) неупорядоченного полупроводника, случайное поле которого создается заряженными примесными центрами (достаточно высокая компенсация), при наличии постоянного внешнего электрического поля. Получено представление для α(ω) в виде интеграла, которое справедливо как при сильных, так и при слабых электрических полях. Приводятся кривые для α(ω) вблизи края поглощения для разных электрических и примесных полей.
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
Б. Эссер
Кафедра полупроводников
Кафедра полупроводников
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.