К теории электропоглощения в неупорядоченных полу проводниках (II)

Вычисляется коэффициент поглощения света α(ω) неупорядоченного полупроводника, случайное поле которого создается заряженными примесными центрами (достаточно высокая компенсация), при наличии постоянного внешнего электрического поля. Получено представление для α(ω) в виде интеграла, которое справедливо как при сильных, так и при слабых электрических полях. Приводятся кривые для α(ω) вблизи края поглощения для разных электрических и примесных полей.