Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Об учете влияния перезарядки ионов на процесс их многократного рассеяния при низких энергиях

А.А. Бедняков, А.Ф. Тулинов

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1973. № 4. С. 397

  • Статья
Аннотация

Рассматривается возможность учета эффекта перезарядки ионов в процессе многократного рассеяния с помощью введения в теорию «эффективного угла экранирования» <χ_α>. Для пучка ионов с известным зарядовым составом этот параметр определяется как среднее взвешенное значений «парциальных углов экранирования» $χ^{(i}_α$ характеризующих рассеяние ионов с различным полным зарядом i. Каждая из величин $χ^{(i)}_α$ получается в результате рассмотрения взаимодействия иона в соответствующем зарядовом состоянии с атомом мишени. Количественные расчеты выполнены для ионов гелия и водорода в алюминии. Полученные результаты хорошо согласуются с имеющимися экспериментальными данными.

Авторы
А.А. Бедняков, А.Ф. Тулинов
НИИЯФ
Выпуск 4, 1973

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.