Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Непрямые оптические переходы в неупорядоченных полупроводниках

Б. Эссер

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1974. № 5. С. 507

  • Статья
Аннотация

Вычисляется коэффициент поглощения неупорядоченного полупроводника α в случае непрямых переходов. Рассматривается случай гладкого случайного поля, действующего в неупорядоченном полупроводнике. Показано, что коэффициент поглощения имеет экспоненциальный хвост α=Аехр [S(ħω-ε_{g,i})], где А - постоянная, S - обратная характерная энергия и ε_{g,i}- непрямая ширина запрещенной зоны, по форме совпадающая с хвостом для прямых переходов. Глубоко в зоне коэффициент поглощения принимает обычную квадратичную зависимость

Авторы
Б. Эссер
Кафедра физики полупроводников
Выпуск 5, 1974

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.