Аннотация
Интерферическим методом и методом зондов исследована заселенность атомных уровней неона в чистом неоне и в гелий-неоновой смеси. Получены данные о заселенности ряда уровней неона в зависимости от тока разряда, давления, примеси гелия и электронной температуры. Обнаружено значительное влияние отрицательной дисперсии на заселенность уровней неона.
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
Эль Дессуки
Кафедра электроники
Кафедра электроники