Аннотация
Рассмотрена теория явлений переноса путем перескоков между локализованными состояниями в неупорядоченных полупроводниках. Получены выражения для плотности тока и плотности потока энергии при наличии в системе электрического поля и градиента температуры. Обсуждается температурная зависимость термоэдс в условиях, когда прыжковый механизм дает основной вклад.
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
И.П. Звягин
Кафедра полупроводников
Кафедра полупроводников
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.