Рассмотрены свойства электронно-дырочной плазмы в собственном полупроводнике при больших концентрациях неравновесных носителей в ней, когда предполагается, что система находится в конденсированном состоянии. Используются результаты [1]. для определения, равновесной концентрации и энергии связи на системе электрон — дырка в конденсате. На примере электронно-дырочной плазмы в Ge приводятся численные значения названных величин и сравниваются результаты, полученные при различных аппроксимациях реальной ситуации.
Кафедра физики полупроводников
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.