Аннотация
С помощью моделирования на ЭВМ проведено исследование поведения дислокаций вблизи полос скольжения, составленных из краевых либо из винтовых дислокаций. Получены распределения для стартовых напряжений дислокаций, длин пробега и величин поперечного скольжения в зависимости от уровня внешнего напряжения, расстояния от полосы скольжения и ориентации кристалла. Проведено сопоставление данных моделирования с некоторыми экспериментальными данными.
English citation: Modelling the motion of dislocations near slit bands
S.I. Igonin and A.A. Predvoditelev
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
C.И. Игонин, А.А. Предводителев
Кафедра молекулярной физики
Кафедра молекулярной физики
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.