Аннотация
Условия возникновения кулоновской щели в энергетическом спектре неупорядоченных полупроводников изучаются без предположений модельного характера (в частности, без спецализации явного вида экранированного потенциала взаимодействия).
English citation: Coulomb gap in disordered semiconductors
V.L. Bonch - Bruevich
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
В.Л. Бонч - Бруевич
Кафедра физики полупроводников
Кафедра физики полупроводников
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.