Найдено среднее число заполнения некоторого состояния в запрещенной зоне при освещении неупорядоченного полупроводника светом. Принято одноэлектронное приближение. Если матричный элемент дипольного взаимодействия со светом меньше размытия уровней, вызванного электрон-фононным взаимодействием, то влиянием света на процессы столкновений можно пренебречь. В этом приближении найдены малые поправки к фермиевской функции распределения: постоянная и флуктуирующая со временем с удвоенной частотой света. Показано, что вторая меньше первой, если ширина уровней меньше энергии фотона. Выражение для независящей от времени поправки можно представить в виде уравнения баланса, имеющего ясный физический смысл.
Кафедра физики полупроводников
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.