Аннотация
Получено кинетическое уравнение для высокочастотных составляющих функции заполнения локализованных состояний в неупорядоченных полупроводниках. Найденное уравнение использовано для оценки нелинейных восприимчивостей, обусловленных перескоками между случайно расположенными в пространстве центрами локализации.
English citation: Nonlinear high-frequency properties of disordered semiconductors
I.P. Zvyagin
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
И.П. Звягин
Кафедра физики полупроводников
Кафедра физики полупроводников