Температурная зависимость стационарной радиолюминесценции в двухуровневой системе

Исходя из известных уравнений, описывающих кинетику изменения концентраций свободных и локализованных зарядов в кристалле, дана интерпретация зависимости интенсивности стационарной радиолюминесценции (РЛ) от температуры и концентрации примеси хрома в сильнолегированном рубине. Вычисления проведены для зонной модели, содержащей один электронный и один дырочный уровни, в предположении произвольного заполнения ловушек. Согласно полученным результатам наблюдавшуюся экспериментально независимость интенсивности стационарной РЛ от концентрации активатора можно объяснить в рамках рассматриваемой модели, если предположить отсутствие внешнего тушения и других каналов рекомбинации электронно - дырочных пар. Получено, что после скачкообразного уменьшения интенсивности стационарной РЛ в R-линиях при понижении температуры уровень свечения в сильнолегированном рубине должен в процессе облучения оставаться неизменным. Этот вывод полностью согласуется с имеющимися экспериментальными данными.