Аннотация
Методом численного моделирования на ЭВМ изучалось прохождение быстрых $\alpha$-частиц через монокристалл алюминия. Исследовалось влияние смещения источника частиц из узла кристаллической решетки на величины интенсивности в минимуме углового распределения и сдвига центра осевой тени относительно направления кристаллографической оси <110> при различных толщинах, слоя кристалла. Полученные зависимости указанных параметров тени от толщины проходимого частицами слоя кристалла имеют немонотонный характер, что необходимо принимать во внимание при измерениях времен жизни ядерных состояний с помощью эффекта теней.
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
О.В. Бормот, Ю.В. Медиков, В.А. Рябов