Два канала рекомбинации на реальной поверхности кремния

На реальной поверхности Si обнаружено два канала рекомбинации, дающие сравнимые вклады в величину скорости поверхностной рекомбинации. Этим каналам отвечают рекомбинационные центры (РЦ) двух типов. РЦ первого типа соответствует дискретный уровень, расположенный вблизи середины запрещенной зоны Si, РЦ второго типа — уровни, непрерывно распределенные по запрещенной зоне. РЦ первого типа возникают при локализации молекул воды вблизи определенных дефектов на границе раздела Si — окисел, а РЦ второго типа — при удалении из окисла SiOF$_2$-групп в процессе различных термических и химических обработок. Показано, что РЦ первого типа на 2 порядка более эффективны в рекомбинации, чем РЦ второго типа.