Аннотация
Экспериментально наблюдалась модуляция инфракрасного излучения с длиной волны λ=10,6 мкм. При частоте модуляции f$_{m}$=480 МГц и модулирующей мощности 16 Вт глубина модуляции составила 37%.
English citation: Infrared GaAs crystal light modulator with 480 MGz modulation frequency
M.I. Zusman, E.R. Moustel
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
М.И. 3усман, Е.Р. Мустель
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики колебаний. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д.1, стр.2.
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики колебаний. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д.1, стр.2.