Исследовано магнитное расщепление узкого нелинейного резонанса в трехуровневой системе ArII $4p^{2}D_{5/2}—4s^{2}P_{3/2}$ (λ=488нм), $4p^{4}D_{5/2}—4s^{2}P_{3/2}$ (λ=514,5 нм). Насыщение перехода $4p^{4}D_{5/2}—4s^{2}P_{3/2}$ создавалось одночастотным лазерным излучением на длине волны 488 нм, зондирование системы производилось одночастотным лазерным излучением на длине волны 514,5 нм при небольшом превышении порога самовозбуждения; частота излучения перестраивалась с помощью селектора Троицкого.Показано, что при наложении магнитного поля нелинейный резонанс расщепляется на четыре компоненты — две слабые и две сильные. Величина расщепления слабых компонент, равна (6,8±0,6) МГц/Э (теоретические оценки зеемановского расщепления перехода $4p^{2}D_{5/2}—4s^{2}P_{3/2}$ дают величину 7,1 МГц/Э). Расщепление сильных компонент на порядок меньше (экспериментальное значение расщепления (0,8 ±0,1) МГц/Э, расчет — 0,82 МГц/Э). Приводятся осциллограммы, иллюстрирующие расщепление резонанса в магнитном поле.
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, физический факультет, кафедра оптики и спектроскопии. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д.1, стр.2.