Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

К теории повышения пространственного разрешения РЭМ в режиме бета-проводимости

Г.В. Сапарин, В.В. Филимонов, А.В. Чивилев

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1982. № 6. С. 66

  • Статья
Аннотация

Рассматривается задача, связанная с повышением разрешения в режиме бета-проводимости для растрового электронного микроскопа. Показано, что для полного анализа проблемы необходимо рассмотреть следующие аспекты возникновения сигнала в РЭМ, работающего в режиме бета-проводимости. Во-первых, расчет области рассеяния электронов зонда в полупроводниковом объеме при наличии тангенциального электрического поля; во-вторых, исследование динамики объема неосновных носителей, рожденных электронным зондом в результате диффузии при действии электрического поля в объекте и существовании процесса поверхностной рекомбинации. При ряде допущений проанализированы уравнения диффузии носителей, рассчитана концентрация при различных значениях Е-поля и скорости поверхностной рекомбинации за время импульса электронного потока. Показано, что объем, занимаемый электронно-дырочными парами (сигнальный объем), сильно зависит от значения Е-поля и скорости поверхностной рекомбинации. Отмечено, что с использованием режима стробоскопии в РЭМ возможно улучшение разрешения для случая бета-проводимости в 2—3 раза.

Авторы
Г.В. Сапарин, В.В. Филимонов, А.В. Чивилев
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра электроники. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д.1, стр.2.
Выпуск 6, 1982

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.