К теории повышения пространственного разрешения РЭМ в режиме бета-проводимости

Рассматривается задача, связанная с повышением разрешения в режиме бета-проводимости для растрового электронного микроскопа. Показано, что для полного анализа проблемы необходимо рассмотреть следующие аспекты возникновения сигнала в РЭМ, работающего в режиме бета-проводимости. Во-первых, расчет области рассеяния электронов зонда в полупроводниковом объеме при наличии тангенциального электрического поля; во-вторых, исследование динамики объема неосновных носителей, рожденных электронным зондом в результате диффузии при действии электрического поля в объекте и существовании процесса поверхностной рекомбинации. При ряде допущений проанализированы уравнения диффузии носителей, рассчитана концентрация при различных значениях Е-поля и скорости поверхностной рекомбинации за время импульса электронного потока. Показано, что объем, занимаемый электронно-дырочными парами (сигнальный объем), сильно зависит от значения Е-поля и скорости поверхностной рекомбинации. Отмечено, что с использованием режима стробоскопии в РЭМ возможно улучшение разрешения для случая бета-проводимости в 2—3 раза.