Аннотация
Из электромодуляционных спектров высокоомного р- и n-GaAs, легированного хромом, определены энергии ионизации акцепторных уровней хрома. Они равны $\varepsilon_{1 A V}= 0,61\pm 0,01$ эВ и $\varepsilon_{2 A V} = 0,870 \pm 0,005$ эВ и не зависят от температуры в области 80 - 300 К.
English citation: Electromodulation spectra of high-resistance p and n GaAs doped with chromium
V.A. Morozova, V.V. Ostroborodova
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
В.А. Морозова, В.В. Остробородова
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2