Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Краткое сообщение

Об аномальной кинетике катодолюминесценции в GaN:Zn

Г.В. Сапарин$^1$, С.К. Обыден$^1$, И.Ф. Четверикова$^2$, М.В. Чукичев$^1$, С.И. Попов$^1$

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1983. № 3. С. 56

  • Статья
Аннотация

При непрерывном облучении электронным пучком i-области i-n-структуры, выращенной на основе нитрида галлия, легированного цинком, наблюдается рост интенсивности полосы катодолюминесценции с максимумом при $\hbar \omega=2,87$ эВ. Интенсивность излучения возрастала на 1,5-2 порядка в сравнении с интенсивностью в начальный период облучения. При дальнейшем облучении после пологого максимума следовал спад интенсивности. Эксперименты проводились при энергии электронного пучка 20 кэВ, плотности тока до 200 А/см$^2$ и температуре образца 300 К.

English citation: Anomalous kinetics of cathodoluminescence in GaN:Zn
G.V. Saparin, S.K. Obyden, I.F. Chetverikova, M.V. Chukichev, S.I. Popov
Авторы
Г.В. Сапарин$^1$, С.К. Обыден$^1$, И.Ф. Четверикова$^2$, М.В. Чукичев$^1$, С.И. Попов$^1$
$^1$Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра электроники. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
$^2$ Московский авиационный технологический институт. Россия,121552, г.Москва, ул. Оршанская, д.3
Выпуск 3, 1983

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.