При непрерывном облучении электронным пучком i-области i-n-структуры, выращенной на основе нитрида галлия, легированного цинком, наблюдается рост интенсивности полосы катодолюминесценции с максимумом при $\hbar \omega=2,87$ эВ. Интенсивность излучения возрастала на 1,5-2 порядка в сравнении с интенсивностью в начальный период облучения. При дальнейшем облучении после пологого максимума следовал спад интенсивности. Эксперименты проводились при энергии электронного пучка 20 кэВ, плотности тока до 200 А/см$^2$ и температуре образца 300 К.
$^1$Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра электроники. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
$^2$ Московский авиационный технологический институт. Россия,121552, г.Москва, ул. Оршанская, д.3
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.