Аннотация
Для определения собственных, омических потерь в элементе ректенны предложена система уравнений, связывающая характеристики элемента ректенны, в частности КПД, с параметрами диода с барьером Шоттки. Предложена методика минимизации собственных потерь при различных уровнях входной СВЧ-мощности. Проведены вычисления потерь в диоде на Au-GaAs, которые показали, что диоды этого типа могут обеспечивать КПД преобразования более 90% в широком диапазоне изменений входной мощности (от 0,1 до 5 Вт).
English citation: Calculation of losses in the rectifying diode of rectenna
G.P. Boyakhchyan, S.K. Lesota, F.N. Maslovskii, A.V. Rachnikov, I.G. Sambur
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
Г.П. Бояхчян, C.К. Лесота, Ф.Н. Масловский, А.В. Рачников, И.Г. Самбур
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра радиофизики СВЧ. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра радиофизики СВЧ. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2