Аннотация
Исследована кинетика медленной релаксации заряда на поверхности кремния в атмосфере паров воды в широком диапазоне времени ($10^{- 2}\le t \le 10^5$ с). Показано, что экспериментальные данные полностью согласуются с представлениями электронно-колебательной модели перезарядки медленных состояний. Форма кинетических кривых соответствует гауссовскому распределению по энергиям колебательных мод О-Н адсорбционных комплексов, включающих прочносорбированные молекулы воды.
English citation: The effect of water adsorption on the kinetics of charge exchange of the slow states in silicon
S.N. Kozlov, N.L. Levshin
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
С.Н. Козлов, Н.Л. Левшин
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для химического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для химического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2