Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Краткое сообщение

Особенности рекомбинационной эмиссии монокристаллов вольфрама и ниобия

В.А. Маштакова, Б.Б. Шишкин

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1984. № 2. С. 76

  • Статья
Аннотация

На вольт-амперных характеристиках плоскосимметричных диодов с термокатодами из монокристаллов переходных металлов при температурах $Т>\Theta_{тэ}$, где $\Theta_{тэ}$ —характеристическая термоэмиссионная температура, появляются аномалии. Проведены исследования зависимости эмиссионных токов от температуры в интервале $\Delta T$, включающем $\Theta_{тэ}$, для граней (100) вольфрама и (110) ниобия. При $T = \Theta_{тэ}$ прямая Ричардсона для грани (100) вольфрама терпит разрыв, при этом скачком возрастают ричардсоновские эмиссионные параметры. Эффективная работа выхода возрастает. Для грани (110) монокристалла ниобия ричардсоновские параметры остаются постоянными

Авторы
В.А. Маштакова, Б.Б. Шишкин
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра электроники. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Выпуск 2, 1984

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.