Processing math: 100%
Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Неустойчивости в электронно-дырочной плазме полупроводников Hg_{1-x}Cd_xTe

Е.В. Богданов, Л.С. Флейшман

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1985. № 2. С. 91

  • Статья
Аннотация

Проведены исследования вольт-амперных характеристик и динамики установления сопротивления в полупроводниковых сплавах Hg_{1-x}Cd_xTe с х = 0,20 и 0,22 при температурах 4,2 и 77 К в отсутствие магнитного поля, а также в продольных и поперечных магнитных полях до 2 кЭ. Полученные результаты подтверждают существование z-пинча в образованной при электрическом пробое Hg_{1-x}Cd_xTe электронно-дырочной плазме и магнитоконцентрационного эффекта в этой плазме в поперечном магнитном поле.

Авторы
Е.В. Богданов, Л.С. Флейшман
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики низких температур. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Выпуск 2, 1985

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.