Аннотация
Исследована температурная зависимость стационарной фотопроводимости нелегированных пленок аморфного гидрогенизированного кремния при различных спектральном составе и интенсивности возбуждающего света. Получено, что глубина температурного гашения фотопроводимости определяется интенсивностью и энергией кванта возбуждающего света. Наблюдаемые закономерности согласуются с моделью межцентровой рекомбинации носителей заряда.
English citation: Temperature quenching of photoconductivity in undoped a-Si:H films
I.A. Kurova, N.N. Ormont, V.D. Podrugina, К.B. Chitaya
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
И.А. Курова, Н.Н. Ормонт, В.Д. Подругина, К.Б. Читая
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.