Линейное и нелинейное оптическое отражение при импульсном лазерном плавлении поверхности нецентросимметричного кристалла

На основе тепловой модели интерпретируются эксперименты по отражению пробного излучения и генерации второй гармоники (ГВГ) при отражении, когда на полупроводник GaAs действует короткий лазерный импульс. Получена аналитическая формула для ГВГ при отражении в случае наличия на поверхности кристалла слоя расплава толщины d. Проведен численный счет зависимостей d, линейного коэффициента отражения и ГВГ пробного излучения от времени. Хорошее согласие теории и эксперимента говорит в пользу тепловой модели лазерного отжига полупроводников.