Аннотация
Рассмотрен режим насыщения в полупроводнике, резонансно возбуждаемом импульсом света с длительностью, большей времени формирования вырожденного фермиевского распределения. Получены аналитические выражения для концентрации, средней энергии и положения квазиуровней Ферми свободных носителей. Рассмотрены случаи тяжелых и легких дырок.
English citation: A saturation effect in a photoexcited degenerate semiconductor
L.V. Vasil'eva, T.M. Il'inova, G.A. Cherdyntseva
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
Л.В. Васильева, Т.М. Ильинова, Г.А. Чердынцева
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики и волновых процессов. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики и волновых процессов. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.