Аннотация
Исследованы гальваномагнитные свойства нелегированного кремния n и р-типа с темновыми удельными сопротивлениями $\rho=1-100$ кОм$\cdot$см. При 80 К измерялись зависимости постоянной Холла $R$ и эффективного "магнетосопротивления" $\rho^{\ast}$ от магнитного поля $B$ в интервале $B=0,3\div 22$ кГс, а также фотомагнитных токов $i_{\text{PM}}$ при $B\leq 15$ кГс. Обсуждаются закономерности примесной биполярности при наличии компенсационной неупорядоченности в образцах. Установлено, что зависимости $R(B)$ и $\rho^{\ast} (B)$ могут служить индикаторами неоднородности такого типа.
English citation: The effect of compensational disorder on the mobility and Hall factors in high resistance silicon
V.V. Ostroborodova, L.G. Radovil'skaya
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
В.В. Остробородова, Л.Г. Радовильская