Проведены исследования темновых и фотохолловских параметров, оптического поглощения и фотопроводимости образцов арсенида галлия, легированного кислородом, с разным заполнением глубокого донорного (Д) уровня О электронами. Выяснено, что в области температур 10-300 К в предельно высокоомном GaAs $\rho=2{\cdot}10^{9}$ Ом$\cdot$см отсутствуют заметные перезарядки Д-уровня О, в то же время при 10-50 К в таком материале преобладает нейтральное рассеяние. Сделано заключение о концентрации и природе Д-центров. Энергия ионизации Д-уровня кислорода $\varepsilon_{\text{Д$\nu$}}\approx$0,76 эВ и не изменяется с температурой в области 10-300 К.
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.