Исследованы электромодуляционные спектры предельно высокоомного GaAs (О) с удельным темновым сопротивлением при 300 К $\rho \approx 2\cdot 10^9$ $Ом\cdot см$. В этом материале глубокий донорный уровень кислорода существенно заполнен дырками, что позволяет рассматривать их фотоионизацию в валентную зону. В электромодуляционных спектрах зарегистрированы резонансные пики электропоглощения, связанные с данными переходами. Энергия ионизации Д-уровня кислорода равна $\epsilon_{Dv}=0,76\pm0,01$ эВ и постоянна в области 80—300 К.
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.