Аннотация
Показано, что динамическое изменение разности населенностей является основным механизмом насыщения при двухфотонном возбуждении прямозонного полупроводника типа GaAs пикосекундными импульсами света вплоть до интенсивностей порядка 600 МВт/см^2
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
М.Г. Дубенская, Т.М. Ильинова, А.Б. Павельев
кафедра общей физики и волновых процессов
кафедра общей физики и волновых процессов
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.