Статья

Развитие методов эмиссионной электроники для диагностики высокотемпературных характеристик переходных металлов

Л.Ю. Голоскокова, Б.Б. Шишкин

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1988. № 2. С. 63

Статья

Аннотация

Показано, что существует температурная зависимость тепловой энтропии образования точечных дефектов S и предложена методика определения S(T) по результатам измерения вольт-амперных характеристик токов рекомбинационной эмиссии.

English citation: Emission-electronics methods in diagnosing high-temperature transition-metal characteristics

L.Yu. Goloskokova, B.B. Shishkin

Авторы

Л.Ю. Голоскокова, Б.Б. Шишкин
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра электроники. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2

Выпуск 2, 1988

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.