Краткое сообщение

О природе температурного гашения фотопроводимости в α-Si:Н

И.А. Курова, Н.Н. Ормонт, О.Е. Коробов, А.Н. Лупачева

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1988. № 3. С. 97

Статья

Аннотация

Приведены экспериментальные данные по зависимости фотопроводимости пленок a-Si:H от температуры, напряжённости электрического поля и температуры предварительного освещения. Данные интерпретируются с помощью модели, основанной на представлении о существовании случайного потенциального рельефа.

English citation: Thermal photoconductivity quenching in α-Si:H

I.А. Kurova, N.N. Ormont, О.Е. Korobov, and А.N. Lupacheva

Авторы

И.А. Курова, Н.Н. Ормонт, О.Е. Коробов, А.Н. Лупачева
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2

Выпуск 3, 1988

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.