Краткое сообщение

О корреляции медленной релаксации поверхностной проводимости и низкочастотного токового шума в ионно-имплантированных слоях кремния

П.К. Кашкаров, А.В. Петров, И.Г. Стоянова, А.В. Филатов

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1988. № 5. С. 89

Статья

Аннотация

Обнаружено, что начиная с дозы $10^{11} ион\cdot см^{-2}$ имплантация ионов $Ar^+$ в Si сопровождается возникновением в поверхностной фазе дефектных комплексов адсорбционного типа. Это приводит к ускорению релаксации поверхностной проводимости и резкому увеличению токовых шумов типа 1/f.

English citation: The correlation between slow surface- conductivity relaxation and low- frequency current noise in ion- implemented silicon films

Р.К. Kashkarov, А.V. Petrov, I.G. Stoyanova, and А.V. Filatov

Авторы

П.К. Кашкаров, А.В. Петров, И.Г. Стоянова, А.В. Филатов
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для химического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2

Выпуск 5, 1988

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.