Статья

Дефектообразование в GaAs и GaAsP при воздействии излучения эксимерного лазера

А.И. Ефимова, П.К. Кашкаров, М.С. Джиджоев, В.К. Попов

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1988. № 6. С. 73

Статья

Аннотация

Исследовано влияние облучения импульсами эксимерного лазера на фотолюминесцентные свойства GaAs и GaAsP. Показано, что в зависимости от исходной дефектности лазерное воздействие приводит к генерации или аннигиляции центров безызлучательной рекомбинации.

English citation: Defect formation in GaAs and GaAsP under the influence of the excimer laser radiation

А.I. Efimova, Р.К. Kashkarov, М.S. Dzhidzhoev, and V.К. Popov

Авторы

А.И. Ефимова, П.К. Кашкаров, М.С. Джиджоев, В.К. Попов
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для химического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2

Выпуск 6, 1988

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.