Краткое сообщение

Гальваномагнитные эффекты в антимониде индия, легированном германием, при глубоком облучении быстрыми электронами

Н.Б. Брандт, Е.П. Скипетров, В.В. Дмитриев, Г.И. Кольцов, Е.А. Ладыгин

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1988. № 6. С. 95

Статья

Аннотация

Показано, что после р—n-конверсии при электронном облучении образцов $р-InSb\langle Ge\rangle$ концентрация электронов проходит через максимум и достигается предельное состояние с проводимостью n-типа. Результаты объясняются в предположении возникновения комплексов первичных дефектов с атомами примеси.

English citation: Galvanomagnetic effects in germanium- doped indium antimonide under deep irradiation with fast electrons

N.В. Brandt, Е.Р. Skipetrov, V.V. Dmitriev, G.I. Kol'tsov, and Е.А. Ladygin

Авторы

Н.Б. Брандт, Е.П. Скипетров, В.В. Дмитриев, Г.И. Кольцов, Е.А. Ладыгин
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики низких температур. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2

Выпуск 6, 1988

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.