Аннотация
В образцах $n-Pb_{1-x}Ge_xTe_{1-y}Se_y$ с $y\approx 1$ и концентрацией Ge, меньшей пороговой для возникновения сегнетоэлектричества, наблюдается низкотемпературное рассеяние электронов, объясняемое появлением в кристаллах неупорядоченной дипольной структуры типа дипольного стекла.
English citation: The state of dipolar glass in PbGeTeSe solid solutions produced along the PbSe- GeTe section of the phase diagram
A.I. Lebedev and I.А. Sluchinskaya
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
А.И. Лебедев, И.А. Случинская
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.