Аннотация
Выполнен расчет в приближении точечного источника генерации электронно-дырочных пар в полупроводнике. Показано, что пространственное разрешение зависит не только от диффузионной длины неосновных носителей, но и от скорости поверхностной рекомбинации и степени поглощения излучения в веществе.
English citation: Spatial resolution under the conditions of local catholuminescence inthe scanning electron microscope as а function of the electro-physical parameters of the sample
А.R. Gareeva, V.I. Petrov, and G.А. Chizhov
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
А.Р. Гареева, В.И. Петров, Г.А. Чижов
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физической электроники. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физической электроники. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2