Статья

Влияние низкоэнергетического электронного облучения на флуктуационный рельеф границы раздела $Si—SiO_2$

С.Н. Козлов, А.Ю. Потапов

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1989. № 2. С. 70

Статья

Аннотация

Показано, что низкоэнергетическое электронное облучение может значительно изменить флуктуационный рельеф границы раздела $Si—SiO_2$и увеличить плотность «флуктуационных» поверхностных электронных состояний границы раздела.

English citation: Influence of low- energy electron irradiation оn the fluctuational relief of the Si-Si02 interface

S.N. Kozlov and А.Yu. Potapov

Авторы

С.Н. Козлов, А.Ю. Потапов
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для химического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2

Выпуск 2, 1989

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.