Аннотация
Методом пограничных функций построено асимптотическое приближение по малому параметру к решению уравнения Пуассона для электростатического потенциала в прямоугольной области, моделирующей двумерную полупроводниковую структуру.
English citation: Approximate solution of the Poisson equation for а model of а two-dimensional semiconducting structure
L.V. Kalachev and I.А. Obukhov
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
Л.В. Калачев, И.А. Обухов
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра математики. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра математики. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2