Статья

Генерация электронных состояний на границе $Si—SiO_2$ при лавинной инжекции

С.Н. Козлов, А.Ю. Потапов

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1989. № 3. С. 74

Статья

Аннотация

Исследовано влияние перезарядки поверхностных состояний границы раздела $Si—SiO_2$ на процесс лавинной инжекции электронов. Показано, что рост плотности поверхностных состояний зависит от режима проведения лавинной инжекции.

English citation: Generation of electronic states on the Si-Si02 interface bу avalanche injection

S.N. Kozlov and А.Yu. Potapov

Авторы

С.Н. Козлов, А.Ю. Потапов
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для химического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2

Выпуск 3, 1989

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.