Аннотация
Показано, что инжекция электронов из кремния в окисел и электронное облучение приводят к одинаковым изменениям энергетических спектров поверхностных состояний и возрастанию зарядовой нестабильности структур $Si—SiO_2$ - металл независимо от типа проводимости кремниевой подложки. Возникающая зарядовая нестабильность связана с генерацией подвижных ионов и медленных электронных состояний в окисле. Характер энергетического спектра поверхностных состояний зависит от условий проведения инжекции электронов.
English citation: Degradation of metal-silicon dioxide-silicon structures under electron irradiation and injection of hot electrons from silicon into the oxide
Yu.N. Kasumov, S.N. Kozlov, A.N. Nevzorov
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
Ю.Н. Касумов, С.Н. Козлов, А.Н. Невзоров
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для химического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для химического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2