Влияние локальных возмущении на фазовый переход полупроводник—металл

Экспериментально исследовано влияние различных поверхностных воздействий на фазовый переход полупроводник—металл в пленках $VO_2$. Показано, что адсорбция донорных молекул $Н_2О$ и $NH_3$ снижает критическую температуру фазового перехода $Т_с$, адсорбция акцепторных молекул $O_2$ не оказывает влияния на величину $Т_c$, адсорбция ионов кислорода приводит к возрастанию $Т_с$. В результате УФ-облучения происходит деградация фазового перехода полупроводник — металл. Обнаружен эффект фотосенсибилизации фазового перехода. Полученные экспериментальные результаты, а также данные других исследователей по влиянию внешних воздействий на фазовый переход анализируются на основании разработанной нами модели фононного ангармонизма.